供应商：美国Gamry电化学

Gamry 的 eQCM 10M? 是一种快速进行阻抗扫描的电化学石英晶体微天平 (EQCM)。对于任何研究界面过程的人员而言，EQCM 是其工具箱中有价值的工具之一。腐蚀、离子嵌入、离子吸附、聚合物增长和传感器绑定事件均为引起质量变化的界面过程。这些质量变化可以通过监控震荡的石英晶体的共振频率来测量。 特色 任何池中 1-10 MHz 的任何晶体 可检测到ng/cm2的质量变化 USB 接口 集成的 QCM 和 Gamry 恒电位仪采集 阻抗扫描有 fs 和 fp，即串联谐振和并联谐振频率 在 Gamry 灵活和可定制的 Echem Analyst? 中进行数据分析

供应商：阿美特克商贸（上海）有限公司

电化学石英晶体分析仪可分析测试液体的成分、电合成、电沉积、元素的嵌入与脱出、电聚合以及微质量测量等研究课题。QCM922A是QCA922的全新升级产品，可同时通过晶振片频率和电阻的变化来检测微小的质量和粘度变化，同样可测试电导的频率特征。QCM922A测试频率高达30MHz，测试灵敏度更高，且测试速度达到10毫秒。应用领域：●  生物聚合物相互作用的表征，如蛋白质●  高分子的形成和分解的实时监测●  采用EQCM对锂离子二次电池进行评价●  气相分析，如湿度及有气

供应商：佰奥林（上海）贸易有限公司

**********仪器简介**********QCM-D技术的核心是石英晶体传感器，它由石英晶体夹在两片电极中间形成三明治结构。在电极两端加入一个交流电压，在传感器的共振频率处引发一个小的剪切振动，当交流电压关闭后，振动呈指数衰减，这个衰减被记录下来，得到共振频率(f)和耗散因子(D)两个参数。对于薄层硬质薄膜，可以使用Sauerbrey关系和公式，根据传感器振动计算吸附层的质量。当沉积的薄膜松散和粘性时，能量通过薄膜上的摩擦被消耗，传感器的振动发生衰减，耗散因子提供了传感器上吸附的薄膜的结构信息。通过

供应商：美国Gamry电化学

QCM-I 耗散型石英晶体微天平是基于对石英晶片进行阻抗分析基础上的高度灵敏的质量传感器，能够测量石英晶片或所吸附薄膜的频率变化及能量耗散，进而分析反应过程中微小的质量变化，吸附层厚度变化等；能够判断膜的刚性或柔性，并且分析膜的粘弹性方面的性质；以及实时追踪分子排列、结构变化等。仪器提供单通道、多通道多种配置；可以单独使用，也可与电化学工作站同步联用。

供应商：阿美特克商贸（上海）有限公司

电化学石英晶体分析仪可分析测试液体的成分、电合成、电沉积、元素的嵌入与脱出、电聚合以及微质量测量等研究课题。QCM922A是QCA922的全新升级产品，可同时通过晶振片频率和电阻的变化来检测微小的质量和粘度变化，同样可测试电导的频率特征。QCM922A测试频率高达30MHz，测试灵敏度更高，且测试速度达到10毫秒。应用领域：●  生物聚合物相互作用的表征，如蛋白质●  高分子的形成和分解的实时监测●  采用EQCM对锂离子二次电池进行评价●  气相分析，如湿度及有气

供应商：美国Gamry电化学

Gamry 的 eQCM 10M? 是一种快速进行阻抗扫描的电化学石英晶体微天平 (EQCM)。对于任何研究界面过程的人员而言，EQCM 是其工具箱中有价值的工具之一。腐蚀、离子嵌入、离子吸附、聚合物增长和传感器绑定事件均为引起质量变化的界面过程。这些质量变化可以通过监控震荡的石英晶体的共振频率来测量。 特色 任何池中 1-10 MHz 的任何晶体 可检测到ng/cm2的质量变化 USB 接口 集成的 QCM 和 Gamry 恒电位仪采集 阻抗扫描有 fs 和 fp，即串联谐振和并联谐振频率 在 Gamry 灵活和可定制的 Echem Analyst? 中进行数据分析

供应商：美国Gamry电化学

能够测量石英晶片或所吸附薄膜的频率变化及能量耗散，进而分析反应过程中微小的质量变化，吸附层厚度变化等；能够判断膜的刚性或柔性，并且分析膜的粘弹性方面的性质；以及实时追踪分子排列、结构变化等. 阻抗型、耗散型石英晶体微天平 判断薄膜的刚性与柔性 测量耗散，分析膜的粘弹性 吸附、成膜等过程中的微小质量变化，分析膜的厚度、质量等 实时追踪反应过程中的分子排列、结构变化......

供应商：上海盈诺精密仪器有限公司

石英晶体微量天平SYTP-1 石英晶体微量天平全新智能触摸升级产品技术特点1:7寸宽大触摸屏操控，当前温度、设定温度，探头频率，温度修正，温度曲线、频率曲线等信息一体化显示，操作非常简便。2：支持仪器单独操作使用，支持连接电脑使用。3：多种通讯方式，USB和网口传输数据。4：支持U盘保存历史数据，配套的上位机也支持历史数据保存。技术参数频率10MHz质量灵敏度2.26×10^8Hz/ （g/cm2）质量范围4.42×10-9g/cm2～4.42×10-4g/cm2罐内电缆及天平传感器工作环境-196℃-7

供应商：美国Gamry电化学

可以与Gamry电化学工作站同步运行，能够测量石英晶片或所吸附薄膜的频率变化及能量耗散，进而分析反应过程中微小的质量变化，吸附层厚度变化等；能够判断膜的刚性或柔性，并且分析膜的粘弹性方面的性质；以及实时追踪分子排列、结构变化等. 阻抗型、耗散型石英晶体微天平 判断薄膜的刚性与柔性 测量耗散，分析膜的粘弹性 吸附、成膜等过程中的微小质量变化，分析膜的厚度、质量等 实时追踪反应过程中的分子排列、结构变化......

供应商：佰奥林（上海）贸易有限公司

见微知著， Q-sense Pro**********仪器简介**********QCM-D技术的核心是石英晶体传感器，它由石英晶体夹在两片电极中间形成三明治结构。在电极两端加入一个交流电压，在传感器的共振频率处引发一个小的剪切振动，当交流电压关闭后，振动呈指数衰减，这个衰减被记录下来，得到共振频率(f)和耗散因子(D)两个参数。对于薄层硬质薄膜，可以使用Sauerbrey关系和公式，根据传感器振动计算吸附层的质量。当沉积的薄膜松散和粘性时，能量通过薄膜上的摩擦被消耗

供应商：佰奥林（上海）贸易有限公司

QCM-D技术的核心是石英晶体传感器，它由石英晶体夹在两片电极中间形成三明治结构。在电极两端加入一个交流电压，在传感器的共振频率处引发一个小的剪切振动，当交流电压关闭后，振动呈指数衰减，这个衰减被记录下来，得到共振频率(f)和耗散因子(D)两个参数。 对于薄层硬质薄膜，可以使用Sauerbrey关系和公式，根据传感器振动计算吸附层的质量。当沉积的薄膜松散和粘性时，能量通过薄膜上的摩擦被消耗，传感器的振动发生衰减，耗散因子提供了传感器上吸附的薄膜的结构信息。通过使用多个频率和耗散因子数据，使用

供应商：佰奥林（上海）贸易有限公司

**********仪器简介**********QCM-D技术的核心是石英晶体传感器，它由石英晶体夹在两片电极中间形成三明治结构。在电极两端加入一个交流电压，在传感器的共振频率处引发一个小的剪切振动，当交流电压关闭后，振动呈指数衰减，这个衰减被记录下来，得到共振频率(f)和耗散因子(D)两个参数。对于薄层硬质薄膜，可以使用Sauerbrey关系和公式，根据传感器振动计算吸附层的质量。当沉积的薄膜松散和粘性时，能量通过薄膜上的摩擦被消耗，传感器的振动发生衰减，耗散因子提供了传感器上吸附的薄膜的结构信息。通过

供应商：佰奥林（上海）贸易有限公司

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供应商：北京先锋泰坦科技有限公司

QCM200石英晶体微天平可测量物体表面或者薄膜等物质反映过程中的质量和粘性。这个系统包括一个控制器、 晶体振荡器、 水晶样品架、 三个石英晶体和 Windows / Mac 软件（QCM200）。

供应商：香港壘為信息科技實業有限公司

eQCM 10M电化学石英晶体微天平是一种快速，具备阻抗扫描的电化学石英晶体微天平（EQCM）。

供应商：莱比信中国(LABSUN CHINA)

产品描述：产品简介：实时、无标记追踪表面反应：分子相互作用、表面吸脱附、流体性质德国3T analytik公司是一家专业从事石英晶体微分析仪（QCM）研发和生产的企业，也是世界上少数掌握石英晶体实时能量耗散追踪技术（Damping/Dispassipation）的企业。其设计开发的3T analytik系列石英晶体微天平作为一款具有zuixin设计理念的产品，具有紧凑的设计、人性化的细节以及全自动控制的功能，具有行业最yi流的量程、灵敏度及稳定性，可视作是新一代耗散型石英晶体微天平的翘楚。3T analy

供应商：莱比信中国(LABSUN CHINA)

产品描述：产品简介：实时、无标记追踪表面反应：分子相互作用、表面吸脱附、流体性质德国3T analytik公司是一家专业从事石英晶体微分析仪（QCM）研发和生产的企业，也是世界上少数掌握石英晶体实时能量耗散追踪技术（Damping/Dispassipation）的企业。其设计开发的3T analytik系列石英晶体微天平作为一款具有zuixin设计理念的产品，具有紧凑的设计、人性化的细节以及全自动控制的功能，具有行业最yi流的量程、灵敏度及稳定性，可视作是新一代耗散型石英晶体微天平的翘楚。3T analy

供应商：上海热冰电子科技有限公司

产品特点： 1、质量测定：测试表面形成的分子层的质量，精度达到毫微克。例如，可检测到1%或更低浓度蛋白质单分子层的结构变化 2、结构变化：同步测试结构变化，因此可以区分两个相似的键合反应或观察到吸附层上发生的相转变 3、实时分析：可以进行实时记录和动力学评估 4、无须标记：无须对分子做标记，仪器测定的是分子本身 5、柔性的表面选择：适用于任何能形成薄膜的表面如金属、高分子、化学改性表面等 6、流量测试：特别设计的样品池可以在控温环境下进行流量测定

供应商：爱谱斯中国有限公司

电化学石英晶体微天平EQCM作为高灵敏度的测试仪器， 它可以测量在传感器表面或附近吸附层ng级的“湿质量”。

供应商：爱谱斯中国有限公司

耗散型石英晶体微天平QCM-D是基于石英晶体的阻抗分析，测量谐振频率和谐振电导曲线的峰宽。谐振电导曲线的峰宽或半峰宽与耗散因子（Q）直接相关。

供应商：合肥科晶材料技术有限公司

A-Z系列晶体列表A-F系列G-H系列L-N系列P-Z系列Al2O3GaTeLaAlO3PbWO4AlGaNLiTaO3PbF2AuGa2O3-?LiNbO3PbSAgGa：ZnOLiFPIN-PMN-PTAlN 单晶GdScO3LSATPMN-PTBaF2GaSbLaF3SrTiO3(国产,进口,Ti面终止SrTiO3)BaTiO3GaAsLiAlO2SrLaAlO4BGOGraphite(普通；热解)LGS 硅酸镓镧SrLaGaO4BSOGaSeLiGaO2Si(超薄Si片)Bi2Te3GGG(Gd3

供应商：合肥科晶材料技术有限公司

产品名称：氮化铝(AlN)薄膜产品简介：AllNEpitxial范本saphhire提出了氢化物气相外延（HVPE）的方法。氮化铝薄膜又是成本效益的方法，用来取代氮化铝单晶衬底。科晶真诚欢迎您的垂询！技术参数：尺寸dia50.8mm±1mm蓝宝石衬底取向c轴（0001)±1.0deg衬底：Al2O3;SiC;GaN薄膜厚度：10-5000nm导电类型：半绝缘型位错密度：XRDFWHMof<0002><500arcsec;XRDFWHMof<10-12><1500arcs

供应商：合肥科晶材料技术有限公司

产品名称：钪酸钆(GdScO3)晶体基片产品简介：与钙钛矿结构的超导体有很好的晶格匹配，的铁电薄膜衬底材料技术参数：晶体结构(A)熔点oC密度g/cm3生长方法GdScO3正交 a=5.45b=5.75 c=7.9321276.6提拉法产品规格：<110>, 公差：+/-0.5度10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm单抛，Ra<5A标准包装：1000级超净室100级超净袋真空包装相关产品：A-Z系列晶体列表清洗机基片包装盒系列划片机旋转涂层机

供应商：合肥科晶材料技术有限公司

产品型号：SrTiO3钛酸锶单晶基片产品简介：SrTiO3单晶与多种钙钛矿结构材料晶格匹配好，它是高温超导薄膜和多种氧化物薄膜优质的衬底材料，同时还广泛应用于特殊光学窗口及高质量的溅射靶材。科晶公司拥有独立全套生产线，从高质量SrTiO3粉末，SrTiO3单晶到多种尺寸外延抛光基片，可为全球提供高质量低价位的SrTiO3单晶及基片。技术参数：晶体结构立方晶格常数a=3.905?生长方法火焰法熔点2080℃密度5.175g/cm3莫氏硬度6 Mohs热膨胀系数9.4×10-6/℃介电常数~ 300损耗正切~

供应商：合肥科晶材料技术有限公司

产品名称：铝酸镧(LaAlO3)晶体基片产品简介：LaAlO3晶体对多种钙钛矿结构材料晶格匹配好，是外延生长高温超导薄膜和巨磁阻薄膜极好的衬底材料，其介电性能适合于低损耗微波及介电共振方面的应用。科晶公司是世界上现有铝酸镧单晶最大的生长厂家，每月能生产10～20公斤，可以提供棒、切割毛坯片及外延抛光基片，能满足全球市场上的各种需求。技术参数：晶向：<100>、<110>、<111>、晶体结构：赝立方晶格常数：a=3.792?生长方法：提拉法熔点：2080℃密度：6.52

供应商：合肥科晶材料技术有限公司

产品名称：非极性氮化镓(GaN)晶体基片产品简介：技术参数：晶体定位面：Aplane<11-20>+/-1;Mplane<1-100>+/-1°.传导类型：N型；半绝缘型电阻率：R<0.5Ω.cm；R>106Ω.cm表面粗糙度：<0.5nm位错密度：<5x106Ω.cm可用表面积：>90%TTV:≤15um；产品规格：常规尺寸：10x5x0.5mm；厚度公差：+/-0.05mm；注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋

供应商：合肥科晶材料技术有限公司

产品名称：硅锗(Si-Ge)晶体基片产品简介：Al2O3（Sapphire,又称白宝石，蓝宝石）有着很好的热特性，极好的电气特性和介电特性，并且防化学腐蚀，它耐高温，导热好，硬度高，透红外，化学稳定性好。广泛用于耐高温红外窗口材料和III-V族氮化物及多种外延薄膜基片材料，为满足日益增长的蓝、紫、白光发光二极管（LED）和蓝光激光器（LD）的需要，科晶公司专业生产高质量的蓝宝石晶体和外延抛光基片，将为您提供大量高质量低价格的单晶和基片。技术参数：单晶:Si-Ge（wt2%）导电类型:Ptype电阻:7-8

供应商：合肥科晶材料技术有限公司

产品名称：进口镓酸锂(LiGaO2)晶体基片技术参数：基本特性晶体结构正交晶格常数a=5.406 ?b=5.012 ? c=6.379 ?生长方法提拉法密度4.18 g/cm3熔点1600oC硬度7.5颜色和外观白色到棕色，没有挛晶和包裹物产品规格：常规晶向：<001 >、<100>；常规尺寸：10 x 10 x 0.5 mm；抛光情况：外延抛光基片；单抛或双抛；注：可根据客户需求提供特殊尺寸和晶向标准包装：1000级超净室100级超净袋相关产品：A-Z系列晶体列表等离子清洗机基片

供应商：合肥科晶材料技术有限公司

产品名称：氮化镓(GaN)晶体基片产品简介：GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高，有效地屏蔽了光学声子散射、电离杂质散射和压电散射等因素).科晶公司将为您提供高品质低价位的氮化镓晶体和基片。技术参数：制作方法：HVPE（氢化物气象外延法）传导类型：N型；半绝缘型电阻率：R<0.5Ω.cm；R>106Ω.cm表面粗糙度：<0.5nm位错密度：<5x106Ω.cm可用表面积：>9

供应商：合肥科晶材料技术有限公司

产品名称：铝酸镁(MgAl2O4)晶体基片产品简介：铝酸镁（尖晶石）单晶广泛应用于声波和微波器件及快速IC外延基片。同时研究发现它是好的III-V族氮化物器件的衬底。MgAl2O4晶体由于很难维持它的单晶结构而难以生长，经过几年的努力，目前科晶公司能够提供世界上质量zuiyou尺寸的MgAl2O4晶体。技术参数：晶体结构立方晶格常数a=8.085?生长方法提拉法熔点2130℃密度3.64g/cm3莫氏硬度8 Mohs热膨胀系数7.45×10-6/℃声速6500m/s ,[100]剪切波传播损耗（9GHz)

供应商：微纳立方科技(北京)有限公司

此设备采用模块化轻量设计，有1通道和4通道可供选择，可集成温度控制模块和流量控制模块（通道均单独控制），具体配置可根据您的具体需求和预算来搭配。

供应商：合肥科晶材料技术有限公司

A-Z金属箔片合肥科晶公司提供各种尺寸A-Z金属箔片，常规厚度0.1毫米，纯度>3N ，欢迎垂询。Ag银箔Al铝箔Au金箔Cu铜箔Co钴箔Cr铬箔Li锂箔In铟箔Ni镍箔Mo钼箔Pb铅箔Ti钛箔 Ta钽箔V钒箔W钨箔Zr锆箔 不锈钢箔 ……

供应商：合肥科晶材料技术有限公司

产品名称：钨（W）箔产品尺寸：常规尺寸：0.01-1mm，具体可按照客户要求加工尺寸标准包装：1000级超净室100级超净袋真空包装

供应商：合肥科晶材料技术有限公司

产品名称：钼（Mo）箔产品尺寸：常规尺寸：0.01-1mm，具体可按照客户要求加工尺寸标准包装：1000级超净室100级超净袋真空包装

供应商：合肥科晶材料技术有限公司

产品名称：铅(Pb)箔（进口料）产品尺寸：常规尺寸：2" W x 0.0063" Thick x 36 Yard length具体可按照客户要求加工尺寸标准包装：1000级超净室100级超净袋真空包装

供应商：合肥科晶材料技术有限公司

产品名称：钴(Co)箔产品简介：产品规格：常规厚度0.01-1mm，具体可按照客户要求加工尺寸标准包装：1000级超净室100级超净袋真空包装